BS170 MOSFET de canal N TO-92

El BS170 es un MOSFET de canal N, encapsulado en una carcasa compacta TO-92. Este tipo de MOSFET es ideal para su uso en circuitos de baja tensión y corriente, como pequeños transistores de señal.

Especificaciones principales:

• Tensión drenador-fuente (Vds): 60V
• Tensión puerta-fuente (Vgs): ±20V (continua), ±40V (no repetitiva)
• Corriente de drenaje (Id): 0.5A
• Disipación total de potencia: 350 mW a 25°C
• Temperatura de trabajo: -55°C a +150°C
• Tensión umbral de puerta (Vgs(Th)): 0.8V a 3.0V
• Resistencia en conducción (Rds(on)): Máximo 5 Ω a Vgs = 10V
• Tiempos de conmutación: Tiempo de encendido y apagado de 4-10 nanosegundos

El BS170 ofrece un rendimiento excelente en aplicaciones de conmutación rápida gracias a sus bajos tiempos de conmutación y es adecuado para su uso, entre otros, en pequeños reguladores de potencia y amplificadores de señal.